站内检索
中国科学院院士 郑有炓
作者: 发表时间:2017年06月30日

  半导体材料与器件物理专家。

  现任南京大学物理系教授。从事新型半导体异质结构材料与器件研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中,发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程,发展了多种新器件。提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系。发现锗硅合金应变诱导有序化新结构,提出新模型。揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质。观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律,开拓II-VI/III-V族异质体系二维电子气研究领域。提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构。

  2003年当选为中国科学院院士。

首页投稿广告关于我们联系我们

版权:《高科技与产业化》编辑部版权所有 京ICP备12041800号

地址:北京市海淀区中关村北四环西路33号 邮编:100080

联系电话:(010)82626611-6618 传真:(010)82627674 联系邮箱:hitech@mail.las.ac.cn