中国科学院微电子所集成电路先导工艺研发中心是国家科技重大专项22纳米先导工艺项目的主要承担单位。中心自建立之日起就紧密围绕国家集成电路产业技术发展的需求，开展以器件小型化为基础的CMOS先导工艺研发。中心拥有一条完整的8英寸研发线，采用工业级设备，并在多个关键模块上拥有特色工艺能力。在光刻模块，采用电子束光刻（E-beam lithography）技术可实现22纳米及以下技术代的图形化。采用高K/金属栅的栅工程模块、外延锗硅的沟道应变工程(strain engineering)、超低能离子注入和激光退火的超浅结模块和采用新型研磨料的CMP模块可以为集成电路产业技术的开发扫清障碍，大大降低工业界技术开发的成本和时间。中心的研发线采用准工业化的管理模式，使得研发周期缩短到接近工业界的水平。

　　22纳米技术代CMOS关键工艺的研发成果

　　先导工艺研发中心所承担的22纳米技术代CMOS关键工艺研发项目是国家科技重大专项02专项的重要项目之一，承担着加快转变经济发展模式的重大历史责任。经过3年多的团结奋斗，项目团队已取得了一系列重大的研发成果。首先，在面向22纳米工艺的高K/金属栅关键模块的研发上，在国内首次采用后高K（high-klast）流程，得到22纳米的NMOSFETs和PMOSFETs,器件性能良好。对栅工程中Vt调节，界面层去除，栅金属填充等工艺难点做了系统研发。为工业界的二次开发提供了一系列工艺解决方案。

　　面向22纳米技术代的专利成果

　　中心自建立之日起，即采用知识产权引导下的科研战略，致力于构建保护国家集成电路产业的知识产权库。近3年来，已完成专利申请700多项，其中包括200多项国际专利。

　　产学研联盟

　　作为集成电路先导工艺研发的国家队，中心承担了整合各方面的研发力量，组建国家级产学研结合的研发平台的战略任务。经过3年多的努力，中心已经与国内最先进的集成电路生产厂家和北大，清华，复旦等著名高校的微电子专业组成了集成电路工艺研发的战略联盟。在集成电路先导工艺研发上形成了产学研用一体化的崭新局面。

　　国产集成电路装备的验证和工艺开发平台

　　为满足国产半导体装备发展的需要，集成电路先导工艺研发中心的研发线大量采用了国产设备和材料，中微半导体和北方微电子公司的刻蚀机、盛美半导体的单片清洗机，沈阳芯源的涂胶显影机等一大批国产新装备在该工艺研发线上得到实际应用。在机台验证的同时，开发了可用于先导技术生产的工艺菜单，有力地支持了国产设备的优化，功能展示和销售。目前，中心的研发平台已成为国产设备和材料商共同的试验场和展示平台。

　　研发团队

　　要实现先导工艺研发中心追赶世界先进水平的战略目标，必须建立一支国际水平的研发队伍。在研发中心建立之初，即有一批拥有丰富的研发经验的海外资深专家加盟。其中有4位中组部“千人计划”特聘专家：拥有丰富的研发和生产管理经验的杨世宁博士、来自IBM的朱慧珑博士，来自IMEC的赵超博士，来自英飞凌的闫江博士。他们分别担任中心执行顾问，首席科学家、研发中心主任等职务。另有5名中科院“百人计划”学者，分别来自IBM，韩国三星等国际知名研发机构。这一大批海归学者使研发中心从建设之初就具备了世界水平的研发能力和宽阔的国际视野，并且在短短的几年里取得了平台建设、22纳米技术研发、700多项专利申请等重大成果，实现了中心跨越式发展的战略目标。

　　国际合作

　　作为国际水平的IC工艺研发平台，先导中心与欧洲IMEC、新加坡IME等国际研发机构和高校建立了广泛的联系和合作。来自IMEC的Eddy Simoen和瑞典皇家理工的Henry Radamson等客座研究员在参加研发工作，并与香港科技大学建有联合实验室。此外，中心每年都要接待来自世界各地的科技代表团，已成为中国微电子领域的一个重要的国际交流基地。