PNAS

　　美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室的科学家利用超薄半导体砷化铟薄膜进行的实验发现，所有的二维半导体都有一个通用的吸收光子的量子单位，他们称之为“AQ”。科学家使用无需支撑的厚度可减至3纳米的砷化铟薄膜作为模型材料系统，来准确地探测二维半导体薄膜的厚度和电子能带结构对光吸收性能的影响。研究发现，这些材料的阶梯式光吸收比与材料的厚度和能带结构无关。他们将超薄的砷化铟膜印在由氟化钙制作的光学透明衬底上，砷化铟膜吸收光，氟化钙衬底不吸光。借助伯克利实验室先进光源的傅立叶变换红外分光镜，科学家在室温下测出了从一个能带跃迁到下一个能带时的光吸收率。他们观察到，随着砷化铟薄膜能带的阶梯式跃迁，AQ值也以大约1.7%的系数相应地逐级递增或者递减。