高频高压器件与集成研发中心
作者： 发表时间：2017年04月27日
定位
开展GaN、InP等化合物半导体在超高速电路、毫米波、太赫兹电路以及电力电子器件研究，建成国内化合物半导体产品研发平台、技术转移转化平台、技术服务平台。
研究方向
GaN功率器件与MMIC、InP基高频、高速器件与电路、宽禁带电力电子器件、超高速数模混合电路、硅基高迁移率Ge/III-VCMOS技术、新型高效太阳能电池技术、新型石墨烯电子器件。
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